IGBT的性能如何判断,IGBT性能的简易判别法

1．指针式万用表判别法 
    IGBT栅极是MOSFET构造，其控制方式为电压型，输入端类似一电容器。当IGBT栅极充满电荷后，由于本身漏电流极小，能在较长一段时间内保持电压不变。利用该特点，可采用如下方法判别。 
    (1)将指针式万用表拨在R×10k挡，先将万用表黑表笔接至IGBT发射极E，红表笔接至IGBT栅极G，向栅极反向充电，使栅极呈负电压状态。然后将黑表笔接至IGBT集电极c，红表笔接E极，此时IGBT处在截止状态，万用表指针若指在机械零位，说明IGBT没有击穿、短路。 
    (2)将万用表黑表笔接G搬，红表笔接E极，向栅极正向充电，使IGBT处在导通状态。然后，将黑表笔接C极，红表笔接E极，由于IGBT已导通，万用表指针应接近于零。 
    通过上述测试，如IGBT导通和截止状态均正常，可判定该IGBT基本是好的。 

2．试灯判别法
    测试接线见附图。 
 
    (1)先将开关S放至A位置，IGBT的G极加上正向电压。此时，C极、E极导通，试灯亮。测C、E极间电压Uce应在0．5V～1．0V之间。 
    (2)再将开关S放至B位置，G极上正电荷通过开关释放，使IGBT关断，C极和E极间截止，试灯熄灭，此时Uce=15V。 
    以上结果说明IGBT导通和截止状态均正常，可判定该IGBT基本是好的。