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霍尔集成传感器的应用

   日期:2014-10-23     浏览:698    评论:0    
核心提示:霍尔元件是利用霍尔效应制成的。所谓霍尔效应,就是把一个磁场加到一个通有电流的导体上时,在该导体两侧会因电荷迁移而产生一个电压,这个电压称霍尔电压Uh×Uh=KhIB,式中Kh为霍尔元件灵敏度系数,I为

 霍尔元件是利用霍尔效应制成的。所谓霍尔效应,就是把一个磁场加到一个通有电流的导体上时,在该导体两侧会因电荷迁移而产生一个电压,这个电压称霍尔电压Uh×Uh=KhIB,式中Kh为霍尔元件灵敏度系数,I为控制电流,B为磁感应强度。 
    图1是使用霍尔集成传感器的电机通断控制电路,当永久磁铁靠近霍尔集成传感器PST-525时,传感器输出端输出高电平。三极管VT(PNP)截止,直流电机M失电停止运转。当永久磁铁离开霍尔集成传感器时,传感器输出端输出低电平,VT导通,M得电运转。
    图2是电机转速自动恒速控制电路,传感器采用开关型霍尔集成电路IC1(UMN6450X),其输出端接至转速控制专用集成电路IC2(M51971L)的④脚。当电机转子(上面有永久磁体)转动时(转子贴近UMN6450X),IC1的输出端输出连续的开、关脉冲,该脉冲经IC2检测后,从⑨脚输出的高低电平将会有所变化。当电机转速比设定转速低时,IC1的输出端输出的连续脉冲频率下降,经IC2检测后,从IC2⑨脚输出的电平将升高,晶体管VT(3DD8A)的导通程度增加,电机转速增加。反之,当电机转速比设定转速高时,IC1的输出脉冲频率升高,IC2的输出端输出电平降低,VT导通时内阻增加,加在电机两端的电压下降,转速下降,直至等于设定转速。图2中RP为转速设定电位器。说明:UMN6450X的字面端面向读者,从左向右脚号分别为③、②、①。 


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